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2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產能技術優勢

文章來源: 香港友創電子有限公司人氣:1403發表時間:2016-07-06 17:13:54

DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash,三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進,短期內仍將掌握產能與技術優勢。 


  三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層、48層3D NAND Flash,2016年下半將量產64層3D NAND Flash,除大陸西安廠外,亦將韓國京畿道華城廠Fab 16朝3D NAND Flash轉換,并規劃華城廠Fab 17一部分空間用于增產3D NAND Flash,且其興建中的京畿道平澤新廠將涵蓋生產次世代3D NAND Flash,以建構3D NAND Flash三大生產據點。 


  2016年上半東芝已少量生產48層3D NAND Flash,待2016年第2季其位于日本三重縣四日市工廠的第二棟廠房重建完畢,將朝正式量產邁進。為拉近落后于三星的距離,東芝與SanDisk陣營正檢討2016年下半量產64層3D NAND Flash的可能性。 


  至于美光/英特爾(Intel)陣營及SK海力士,2016年上半皆已有32層3D NAND Flash樣品,2016年下半可能量產32層/48層3D NAND Flash。 


  DIGITIMES Research觀察,三星已確立在大陸西安、韓國京畿道華城及平澤建構3D NAND Flash三大生產據點,其他存儲器業者不僅3D NAND Flash產能難以與之抗衡,技術亦不易迎頭趕上。 


  2016年下半存儲器業者別3D NAND Flash量產規劃 

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