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三星3D V NAND由32層到48層,不僅是垂直堆疊層數的增加

文章來源: 香港友創電子有限公司人氣:1848發表時間:2016-07-06 17:22:03

在三星最新的48層器件中是采用16個NAND管芯堆疊一起,然后用引線鍵合技術連結。三星的48層V-NAND器件中集成了512GB存儲單元,表示每個NAND芯片是32GB(256GB)…… 



  三星己經開始量產它的48層3DVNAND芯片(48層單元柵在一個NAND中串接在一起,稱作第三代)應用在SSD中,如SSDT3(mSATA及850EVOV2),NVMeSSD(PM971-NVMe)以及企業級SSD(PM1633a)。 


  在三星最新的48層器件中是采用16個NAND管芯堆疊一起,然后用引線鍵合技術連結。三星的48層V-NAND器件中集成了512GB存儲單元,表示每個NAND芯片是32GB(256GB)。三星的32層(第二代)V-NAND芯片包括10.67GB(85.33GB)。它的第二代與第三代V-NAND有什么不同,不會僅是32層與48層數之間的差異。 


  TechInsights從單元結構,材料,布局及封裝全面進行分析與比較,下面是其中的亮點: 


  存儲器密度及芯片尺寸 


  圖1表示16個48層V-NAND芯片與兩個F-Chips封裝在一個MCP(multichip package)中,32層V-NAND芯片面積是84.33平方毫米,而48層芯片為99.8平方毫米,如圖2所示,表示它的長度更長,面積增加了17.3%。以單位面積的存儲器密度計增加到每平方毫米2.57Gb。相比先進制程的2D NAND器件如東芝的15納米是TLC NAND是1,28Gb/mm平方. 


  在管芯布局方面的關鍵不同如下;1),平面NAND存儲器陣列的面積,2),位線開關和頁緩沖區的面積,3),邏輯及外圍電路的面積,及4),增加F芯片。每個管芯有兩個區。NAND存儲器陣列的面積由48.9平方毫米增加到68.7平方毫米,表示增大40.3%。位線開關電路面積與32層一樣,頁緩沖區的面積減少20%。邏輯及外圍電路面積減少34.8%,換句話說三星大大縮小頁緩沖電路與外圍電路的面積,可以進一步增加存儲器密度及提高管芯的效率。在MCP結構中16芯片堆疊,每個芯片的厚度己由132微米縮減至36微米。 

在三星最新的48層器件中是采用16個NAND管芯堆疊一起,然后用引線鍵合技術連結。三星的48層V-NAND器件中集成了512GB存儲單元,表示每個NAND芯片是32GB(256GB)…… 


  三星己經開始量產它的48層3DVNAND芯片(48層單元柵在一個NAND中串接在一起,稱作第三代)應用在SSD中,如SSDT3(mSATA及850EVOV2),NVMeSSD(PM971-NVMe)以及企業級SSD(PM1633a)。 


  在三星最新的48層器件中是采用16個NAND管芯堆疊一起,然后用引線鍵合技術連結。三星的48層V-NAND器件中集成了512GB存儲單元,表示每個NAND芯片是32GB(256GB)。三星的32層(第二代)V-NAND芯片包括10.67GB(85.33GB)。它的第二代與第三代V-NAND有什么不同,不會僅是32層與48層數之間的差異。 


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  存儲器密度及芯片尺寸 


  圖1表示16個48層V-NAND芯片與兩個F-Chips封裝在一個MCP(multichip package)中,32層V-NAND芯片面積是84.33平方毫米,而48層芯片為99.8平方毫米,如圖2所示,表示它的長度更長,面積增加了17.3%。以單位面積的存儲器密度計增加到每平方毫米2.57Gb。相比先進制程的2D NAND器件如東芝的15納米是TLC NAND是1,28Gb/mm平方. 


  在管芯布局方面的關鍵不同如下;1),平面NAND存儲器陣列的面積,2),位線開關和頁緩沖區的面積,3),邏輯及外圍電路的面積,及4),增加F芯片。每個管芯有兩個區。NAND存儲器陣列的面積由48.9平方毫米增加到68.7平方毫米,表示增大40.3%。位線開關電路面積與32層一樣,頁緩沖區的面積減少20%。邏輯及外圍電路面積減少34.8%,換句話說三星大大縮小頁緩沖電路與外圍電路的面積,可以進一步增加存儲器密度及提高管芯的效率。在MCP結構中16芯片堆疊,每個芯片的厚度己由132微米縮減至36微米。 



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