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  • 三星3D V NAND由32層到48層,不僅是垂直堆疊層數的增加

    2016-07-06三星3D V NAND由32層到48層,不僅是垂直堆疊層數的增加

    在三星最新的48層器件中是采用16個NAND管芯堆疊一起,然后用引線鍵合技術連結。三星的48層V-NAND器件中集成了512GB存儲單元,表示每個NAND芯片是32GB(256GB)……   三星己經開始量產它的48層3DVNAND芯片(48...[查看詳情]

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  • 2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產能技術優勢

    2016-07-062016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產能技術優勢

    DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash,三星獨...[查看詳情]

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  • 內存價格看漲,中美存儲大聯盟呼之欲出

    2016-07-06內存價格看漲,中美存儲大聯盟呼之欲出

    原廠調降標準型內存產出比重,NAND供貨吃緊與三星西安廠跳電意外引爆全面漲價……   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange最新報價顯示,DDR3 4GB合約均價從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的1...[查看詳情]

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  • 2015年中國十大IC設計企業及全球排名

    2016-07-062015年中國十大IC設計企業及全球排名

    如果再計算中國前年收購的海外上市企業落地所包含的產值,今年增長率將肯定超過25%,預計將達到1600-1650億元人民幣,位居全球第二。   日前在2016中國(深圳)集成電路創新應用高峰論壇上,中國半導...[查看詳情]

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